ЕЛЕМЕНТАРНА МОДЕЛЬ ПРЯМОГО З’ЄДНАННЯ МАТЕРІАЛІВ ПРИ НИЗЬКІЙ ТЕМПЕРАТУРІ

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF
Опубліковано: Nov 6, 2019
Ключові слова:
пори, спікання, дифузійна повзучість, кінетика, дифузія вздовж інтерфейсів.

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

N. V. Storozhuk
Черкаський національний університет імені Богдана Хмельницького
А. М. Gusak
Черкаський національний університет імені Богдана Хмельницького

Анотація

В роботі запропоновано найпростішу модель кінетики завершальної стадії з’єднання двох поверхонь. Описано основні припущення моделі та виведено математичні рівняння процесу в наближенні монорозмірності пор.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Номер
Том 1 № 1 (2019)
Розділ
ФІЗИКА МАТЕРІАЛІВ
Біографії авторів

N. V. Storozhuk, Черкаський національний університет імені Богдана Хмельницького

Кандидат фіз.-мат. наук

А. М. Gusak, Черкаський національний університет імені Богдана Хмельницького

Доктор фіз.-мат. наук, професор, Заслужений діяч науки і техніки України,  пр.н.с. лабораторії математичної фізики кафедри фізики

Посилання

Kim, T. H., Howlader, M. M. R., Itoh, T., & Suga, T. (2003). Room temperature Cu–Cu direct bonding using surface activated bonding method. Journal of Vacuum Science & Technology A: Vacuum, Surfaces, and Films, 21(2), 449-453. Retrieved from https://doi.org/10.1116/1.1537716.

Tan, C. S., Peng, L., Fan, J., Li, H., & Gao, S. (2012). Three-dimensional wafer stacking using Cu–Cu bonding for simultaneous formation of electrical, mechanical, and hermetic bonds. IEEE Transactions on Device and Materials Reliability, 12(2), 194-200. Retrieved from https://doi.org/10.1109/TDMR.2012.2188802.

Liu, C. M., Lin, H. W., Chu, Y. C., Chen, C., Lyu, D. R., Chen, K. N., & Tu, K. N. (2014). Low-temperature direct copper-to-copper bonding enabled by creep on highly (111)oriented Cu surfaces. Scripta Materialia, 78, 65-68. Retrieved from https://doi.org/10.1016/j.scriptamat.2014.01.040.

Liu, C. M., Lin, H. W., Huang, Y. S., Chu, Y. C., Chen, C., Lyu, D. R., Tu, K. N. (2015). Low-temperature direct copper-to-copper bonding enabled by creep on (111) surfaces of nanotwinned Cu. Scientific reports, 5, 9734. Retrieved from https://doi.org/10.1038/srep09734.

Juang, J. Y., Lu, C. L., Chen, K. J., Chen, C. C. A., Hsu, P. N., Chen, C., & Tu, K. N. (2018). Copper-to-copper direct bonding on highly (111)-oriented nanotwinned copper in no-vacuum ambient. Scientific reports, 8(1), 13910. Retrieved from https://doi.org/10.1038/s41598-018-32280-x.

Geguzin, Y. E. (1984). Sintering Physics. Nauka, 312, 61-63.

Rahaman, M. N. (2003). Ceramic processing and sintering. New York: M. Dekker, 567, 573. Retrieved from ISBN 9780824709884 - CAT# DK2132