ДОСЛІДЖЕННЯ КІНЕТИКИ РОСТУ ІНТЕРМЕТАЛІЧНОГО З’ЄДНАННЯ В СИСТЕМІ МІДЬ-ОЛОВО ПРИ ЕЛЕКТРОМІГРАЦІЇ

##plugins.themes.bootstrap3.article.sidebar##

PDF
Ключові слова:
реакційна дифузія, бінарна система, електроперенесення, кінетика росту

##plugins.themes.bootstrap3.article.main##

Д. О. Зраєв
С. В. Корнієнко

Анотація

Проведено експериментальне дослідження кінетику росту нової фази в системі мідь-олово при електроперенесенні. Показано, що ріст фази на аноді відбувається швидше ніж на катоді. Кінетика росту фази відповідає лінійному часовому закону.

##plugins.themes.bootstrap3.article.details##

Номер
Том 309 № 16 (2014)
Розділ
КОМП'ЮТЕРНЕ МОДЕЛЮВАННЯ У ФІЗИЦІ
Біографії авторів

Д. О. Зраєв

Магістрант, Черкаський національний університет імені Богдана Хмельницького, бульв. Шевченка 81, 18031, Черкаси, Україна.

С. В. Корнієнко

Кандидат фіз.-мат. наук, доцент Черкаський національний університет імені Богдана Хмельницького, бульв. Шевченка 81, 18031, Черкаси, Україна.

Посилання

1. Tu K. N. Recent advances on electromigration in very-large-scale integration of interconnects / K. N. Tu // Journal of Applied Physics. – 2003. – № 94. – Р. 5451–5473.
2. Tu K. N. Polarity effect of electromigration on kinetics of intermetallic compound formation in Pb-free solder V-groove samples / K. N. Tu, H. Gan // Journal of Applied Physics. – 2005. – № 97. – Р. 063514.
3. Gan H. Electromigration in Solder Joints and Solder Lines / H. Gan, W. J. Choi, G. Xu, K. N. Tu // JOM. – 2002. – № 54. – Р. 34–37.
4. Liu C. Y. Direct correlation between mechanical failure and metallurgical reaction in flip chip solder joints / C. Y. Liu, C. Chen, A. K. Mal, K. N. Tu // Journal of Applied Physics. – 1999. – № 85. – Р. 3882–3886.
5. Lee T. Y. Electromigration of eutectic SnPb and SnAg3.8Cu0.7 flip chip solder bumps and under-bump metallization / T. Y. Lee, K. N. Tu, D. R. Frear // Journal of Applied Physics. – 2001. – № 90. – Р. 4502–4508.

6. Choi W. J. Mean-time-to-failure study of flip chip solder joints on Cu/Ni(V)/Al thin-film under bump metallization / W. J. Choi, E. C. C. Yeh, K. N. Tu // Journal of Applied Physics. – 2003. – № 90. – Р. 5665–5671.
7. Chao B. Investigation of diffusion and electromigration parameters for Cu Sn intermetallic compounds in Pb-free solders using simulated annealing / B., Chao S. Chae, X. Zhang, K. Lu, J. Im, P. S. Ho // Acta Materialia. – 2007. – № 55. – Р. 2805–2814.
8. Gurov K. P. On the theory of phase growth in the diffusion zone during mutual diffusion in an external electric field / K. P. Gurov, A. M. Gusak // Phys Met Metallogr. – 1981. – № 52. – Р. 75–81.
9. Chen C. M. Electromigration effect upon the Sn–0.7 wt% Cu/Ni and Sn 3.5 wt% Ag/Ni interfacial reactions / C. M. Chen, S.W. Chen // Journal of Applied Physics. – 2001. – № 90. – Р. 1208–1214.
10. Chen S. W. Electromigration effects upon interfacial reactions / S. W. Chen, C. M. Chen // JOM. – 2003. – № 55. – Р. 62–67.
11. Зраєв Д. О. Експериментальне дослідження кінетики росту фази під дією постійного електричного струму в системі мідь-олово / Д. О. Зраєв, С. В. Корнієнко // Вісник Черкаського університету. – 2013. – № 16. – С. 64–69.
12. Беккерт М. Способы металлографического травления / М. Беккерт, Х. Клемм. – М. : Металлургия, 1988. – 400 с.
13. Chae S. Electromigration statistics and evolution for Pr-free joints with Cu and Ni UBM in plastic flip-chip packages / S. Chae, H. Chao, X. Zhang, K. Lu, M. Ding, P. S. Ho // Mater Electron. – 2007. – № 18. – Р. 247–258.